光刻機，官宣了
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——研訊社
假期討論最多的一個事件：9月9日，工信部發布了《首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）》，國產KrF氟化氪光刻機（照明波長248nm、解析度110nm）以及ArF氟化氬光刻機（照明波長193nm、解析度65nm）列于其中。
1. 關於事件發布時間，不是假期新發的，而是一周前發的，這是被踩得比較多的一點。但實際上，在A股市場，經常有題材不是在消息出來的第一時間炒作，而是在市場「認知到這個事件重要的時候」開始炒作，比如最近的一波「華為海思」，發布會早就預告了。增量信息時間是重要，但不是板塊上漲的決定性因素，事件本身和市場的認知才是關鍵。
2. 這次的光刻機屬於中端，在被納入推廣名單之後，將迅速開啟全面國產替代。
光刻機按性能（光源波長和支持的工藝節點）分類：
一代-紫外光源UV光刻機：使用g線（436nm）和i線（365nm）光源，適用於較早期的集成電路製造。
二代-深紫外DUV光刻機：引入了KrF（248nm）和ArF（193nm）準分子激光光源，解析度更高，支持更小的特徵尺寸。
三代-浸沒式DUV光刻機：在ArF光源的基礎上，通過使用浸沒液體（如水）來降低等效波長，提高解析度，支持45nm及以下工藝節點。
四代-極紫外EUV光刻機：使用13.5nm波長的光源，能夠實現更高的解析度，支持7nm及以下工藝節點，是當前最先進的光刻技術。
五代-高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機：正在研發中，旨在通過提高光學系統的數值孔徑（NA）來進一步提升解析度和成像質量。
目前高端主要是指能一次曝光生產28nm以上晶元的光刻機，也就是三代、四代光刻機，生產7nm手機晶元就要用到這些光刻機，而這次進入目錄的是二代光刻機，屬於中端，儘管不能用來生產比如華為手機現在用的7nm晶元，但依然有較高的商業價值，二代光刻機依然佔據超過一半的銷量份額，並且這次的ArF光刻機能夠支持更先進的工藝節點，通過多重曝光也能實現28nm。
另外最重要的是，進入推廣目錄就意味著國產鏈條已經完全打通，這一塊的進口份額將迅速清零，完全實現全國產。
3. 信號意義重大，標志著國產先進光刻機進入落地階段，提升了國產光刻機的預期。
首先，在此之前仍然有部分聲音認為國內別說EUV了，連DUV光刻機都造不出來，現在推廣目錄的落地徹底打破「國內造不出光刻機」的刻板論調，這次的二代光刻機就是很好的開始，起步不低。
其次，國內核心項目通常都是公示一代、測試一代、預研一代，能公示二代，說明三代、四代都在規劃研發中了，上周討論的發明專利公示就是關於EUV（極紫外線）光刻機的光源的，也就是四代光刻機。
最後值得一提的是，上周剛剛解讀過，近期光刻機外部事件比較多，尤其是荷蘭跟進美國對光刻機出口施加進一步限制，這個時候發布推廣目錄可能也有其他的考慮，光刻機的國產替代更堅定了。
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